IRFI9620GPBF

更新时间： 2024-01-17 15:52:00

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFI9620GPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.06
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFI9620GPBF 数据手册

IRFI9620G, SiHFI9620G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.5

RoHS*

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.2

_gs(nC)

_gd(nC)

• Dynamic dV/dt

8.4

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI9620GPbF

SiHFI9620G-E3

IRFI9620G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI9620G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 3.0

- 1.9

- 12

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.24

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 3.0

3.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 13 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 3.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 3.9 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91166

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI9630	ETC	获取价格
IRFI9630G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI9630G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.3A)
IRFI9630G-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-003PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9630G-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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