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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9630G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9630G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.3A) |
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| IRFI9630G-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-002PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-003PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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