5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 0.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9630G-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-002PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-003PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9630G-009PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
