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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI9610G
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IRFI9610G

更新时间： 2024-02-23 12:13:46
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页数 文件大小 规格书
8页 169K
描述
HEXFET POWER MOSFET

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IRFI9610G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：5.19
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFI9610G 数据手册

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PD - 94577  
IRFI9610G  
HEXFET® Power MOSFET  
l Isolated Package  
D
l HighVoltageIsolation=2.5KVRMSꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mm  
l P-Channel  
VDSS = -200V  
RDS(on) = 3.0Ω  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Low thermal Resistance  
G
ID = -2.0A  
S
Description  
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the  
best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the  
designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low  
on-resistance and cost-effectiveness.  
TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-  
industrialapplications. Themouldingcompoundusedprovidesahighisolationcapability  
and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is  
equivalenttousinga100micronmicabarrierwithstandardTO-220product. TheFullpak  
is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.  
TO-220Full-Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
Max.  
-2.0  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
-1.3  
A
-8.0  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
27  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.22  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
100  
mJ  
-2.0  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
2.7  
mJ  
-11  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
or  
300 (1.6mm from case )  
6-32  
Mounting  
torque,  
M3  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
4.6  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
65  
10/28/02  
12345678

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与IRFI9610G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI9610GPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFI9610GPBF INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET
IRFI9620G INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.0A)
IRFI9620G VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFI9620G-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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