IRFI9610G

更新时间： 2024-01-30 12:41:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	819K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFI9610G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFI9610G 数据手册

IRFI9610G, SiHFI9610G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 200

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

RoHS*

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.2

_gs(nC)

_gd(nC)

• Dynamic dV/dt Rating

7.3

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The moulding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI9640GPbF

SiHFI9640G-E3

IRFI9640G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI9640G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 2.0

- 1.3

- 8.0

0.22

100

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 2.0

2.7

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

- 11

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 51 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.0 A, dI/dt ≤ - 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91165

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFI9610G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI9610GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI9610GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFI9620G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.0A)
IRFI9620G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI9620G-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFI9620G-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与IRFI9610G相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

4
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

4
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFI9610G

IRFI9610G 技术参数

IRFI9610G 数据手册

与IRFI9610G相关器件

与IRFI9610G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFI9610G

IRFI9610G 技术参数

IRFI9610G 数据手册

与IRFI9610G相关器件

与IRFI9610G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？