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IRFI9530G-031PBF

更新时间: 2024-01-27 01:25:01
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1页 30K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRFI9530G-031PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):7.7 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:38 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFI9530G-031PBF 数据手册

  

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