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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 430 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.117 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 42 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9540GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI9540GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9540N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI9610G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFI9610G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9610GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9610GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFI9620G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.0A) |
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| IRFI9620G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9620G-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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