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| IRFI9530G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI9530GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9540G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9540G | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI9540GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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