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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI540N-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI540N-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI540N-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI540N-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI540NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI550A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFI550ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI610A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA |
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| IRFI610ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFI610B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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