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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI540NPBF
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IRFI540NPBF

更新时间： 2024-11-06 03:36:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 259K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFI540NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.77其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFI540NPBF 数据手册

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PD - 94833  
IRFI540NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l IsolatedPackage  
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
l Fully Avalanche Rated  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.052Ω  
G
l Lead-Free  
ID = 20A  
Description  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowestpossibleon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab  
and external heatsink. This isolation is equivalent to using  
a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.  
The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or  
by a single screw fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
20  
14  
110  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
54  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.36  
±20  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚†  
Avalanche Current†  
300  
mJ  
A
16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Current  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
Operating Junction and  
5.4  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
––––  
Max.  
2.8  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
65  
11/13/03  
12345678

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IRFI540NPBF 替代型号

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