5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI550A
IRFI550A PDF预览

IRFI550A

更新时间： 2024-11-08 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 268K
描述
Advanced Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFI550A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：640 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFI550A 数据手册

 浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFI550A的Datasheet PDF文件第7页 
IRFW/I550A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.04  
ID = 40 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D2-PAK  
I2-PAK  
O
175 C Operating Temperature  
2
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
W
Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)  
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
40  
Units  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C)  
28.3  
160  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
20  
2
640  
40  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
16.7  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
*
Total Power Dissipation (TA=25  
)
)
C
C
3.8  
O
PD  
Total Power Dissipation (T =25  
167  
1.11  
W
C
O
Linear Derating Factor  
W/ C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
0.9  
40  
JC  
O
Rq  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
C /W  
JA  
Rq  
62.5  
JA  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRFI550A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI550ATU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI610A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA
IRFI610ATU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI610B FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
IRFI610BTU_FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFI614A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-262AA
IRFI614ATU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI614B FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
IRFI614BTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI614BTU_FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与IRFI550A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证