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IRFI550ATU

更新时间： 2024-11-09 20:07:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 320K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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IRFI550ATU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
雪崩能效等级（Eas）：640 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFI550ATU 数据手册

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IRFW/I550A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.04  
ID = 40 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D2-PAK  
I2-PAK  
O
175 C Operating Temperature  
2
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
W
Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)  
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
100  
40  
Units  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C)  
28.3  
160  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
20  
2
640  
40  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
16.7  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
*
Total Power Dissipation (TA=25  
)
)
C
C
3.8  
O
PD  
Total Power Dissipation (T =25  
167  
1.11  
W
C
O
Linear Derating Factor  
W/ C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
0.9  
40  
JC  
O
Rq  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
C /W  
JA  
Rq  
62.5  
JA  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI610A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA
IRFI610ATU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI610B FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
IRFI610BTU_FP001 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFI614A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-262AA
IRFI614ATU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI614B FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
IRFI614BTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI614BTU_FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFI614G INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.1A)

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