5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI614ATU
IRFI614ATU PDF预览

IRFI614ATU

更新时间： 2024-11-21 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 650K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFI614ATU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

IRFI614ATU 数据手册

 浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFI614ATU的Datasheet PDF文件第7页 
November 2001  
IRFW614B / IRFI614B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters and  
switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
2.8A, 250V, R  
= 2.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.1 nC)  
Low Crss ( typical 7.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
D2-PAK  
IRFW Series  
I2-PAK  
IRFI Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFW614B / IRFI614B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
250  
2.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
8.5  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
45  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
40  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.32  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.14  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRFI614ATU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI614B FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
IRFI614BTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFI614BTU_FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFI614G INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.1A)
IRFI614G VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFI614G-002 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI614G-002PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI614G-004 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI614G-004PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI614G-005 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IRFI614ATU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证