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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI614G-019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-024 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-024PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI614GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI614GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI620A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-262AA |
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