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IRFHS8242TR2PBF

更新时间： 2024-01-15 08:35:05

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IRFHS8242TR2PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	最大漏极电流 (ID)：	9.9 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHS8242PbF

Vds

Vgs

VCC

DUT

Vgs(th)

Qgs1

Qgs2

Qgd

Qgodr

Fig 16b. Gate Charge Waveform

Fig 16a. Gate Charge Test Circuit

R_D

V_DS

90%

V_GS

D.U.T.

R_G

⁺V_DD

10%

V_GS

10V

V_GS

PulseWidth ≤ 1 µs

DutyFactor≤ 0.1

t_d(on)

t_d(off)

t_r

t_f

Fig 17a. Switching Time Test Circuit

Fig 17b. Switching Time Waveforms

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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