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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFHS8242TR2PBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFHS8242TRPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFHS8342 | INFINEON | Small PowIR MOSFETs |
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| IRFHS8342PBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFHS8342TR2PBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFHS8342TRPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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