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IRFHS8242PBF

更新时间： 2024-02-20 15:56:45
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描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFHS8242PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A最大漏极电流 (ID)：9.9 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHS8242PBF 数据手册

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IRFHS8242PbF  
100  
10  
100  
10  
1
VGS  
10V  
VGS  
10V  
TOP  
TOP  
7.0V  
5.0V  
4.5V  
4.0V  
3.5V  
3.0V  
2.7V  
7.0V  
5.0V  
4.5V  
4.0V  
3.5V  
3.0V  
2.7V  
BOTTOM  
BOTTOM  
1
2.7V  
2.7V  
0.1  
0.01  
60µs PULSE WIDTH  
60µs PULSE WIDTH  
≤
≤
Tj = 25°C  
Tj = 150°C  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
100  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
I
= 8.5A  
D
V
= 10V  
GS  
T
= 150°C  
J
T
= 25°C  
J
10  
V
= 15V  
DS  
≤
60µs PULSE WIDTH  
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120140 160  
T , Junction Temperature (°C)  
J
V
, Gate-to-Source Voltage (V)  
GS  
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature  
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
14.0  
12.0  
10.0  
8.0  
10000  
V
= 0V,  
= C  
f = 1 MHZ  
GS  
I
= 8.5A  
D
C
C
C
+ C , C  
SHORTED  
iss  
gs  
gd  
ds  
= C  
rss  
oss  
gd  
V
V
V
= 20V  
= 13V  
= 5.0V  
DS  
DS  
DS  
= C + C  
ds  
gd  
1000  
100  
10  
C
iss  
C
6.0  
oss  
C
rss  
4.0  
2.0  
0.0  
0
2
4
6
8
10  
12  
1
10  
, Drain-to-Source Voltage (V)  
100  
Q , Total Gate Charge (nC)  
V
G
DS  
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage  
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage  
www.irf.com  
3
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