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IRFF430

更新时间： 2024-11-18 12:20:03

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
NâCHANNEL ENHANCEMENT

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IRFF430 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	0.35 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	1.725 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFF430 数据手册

2N6802

IRFF430

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

BV_DSS500V

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

I_D(cont)

2.5

5.08 (0.200)

typ.

Ω

R_DS(on)1.5

2.54

(0.100)

FEATURES

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

• AVALANCHE ENERGY RATED

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

45°

TO39 – Package (TO-205AF)

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Underside View

Pin 1 – Source

Pin 2 – Gate

Pin 3 – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

2.5A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

1.5A

case

Pulsed Drain Current

11A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

25W

Linear Derating Factor

0.2W/°C

0.35mJ

3.5V/ns

–55 to +150°C

5.0°C/W

175°C/W

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

stg

θJC

θJA

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 50V , Peak I = 2.5A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 2.5A , di/dt ≤ 75A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , SUGGESTED R = 7.5Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5357

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

Issue: 1

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与IRFF430相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF430PBF	INFINEON	获取价格	2.5 A, 500 V, 1.725 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3
IRFF430R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.75A I(D) \| TO-205AF
IRFF430SCX	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - Screening Level TX
IRFF431	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFF431	ROCHESTER	获取价格	2.8A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRFF431R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.75A I(D) \| TO-205AF
IRFF432	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.25A I(D) \| TO-205AF
IRFF432R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.25A I(D) \| TO-205AF
IRFF433	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.25A I(D) \| TO-205AF
IRFF433R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.25A I(D) \| TO-205AF

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