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IRFF420 PDF预览

IRFF420

更新时间： 2024-11-17 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRFF420 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：0.11 mJ配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.5 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFF420 数据手册

 浏览型号IRFF420的Datasheet PDF文件第2页 
IRFF420  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
8
9
.
.
8
4
9
0
(
(
0
0
.
.
3
3
5
7
)
)
POWER MOSFET  
7
8
.
.
7
5
5
1
(
(
0
0
.
.
3
3
0
3
5
5
)
)
6
.
1
0
(
0
.
2
4
0
)
6
.
6
0
(
0
.
2
6
0
)
BVDSS 500V  
0
.
8
9
a
ID(cont)  
1.5  
m
x
.
)
(
0
0
.
0
3
5
1
2
.
7
(
0
.
5
0
0
)
m
i
n
.
7
.
.
7
5
5
1
(
(
0
0
.
.
3
3
0
3
5
5
)
)
8
d
i
a
.
RDS(on) 3.0  
5
.
0
8
(
0
.
2
0
0
)
t
y
p
.
FEATURES  
2
.
5
4
2
(
0
.
1
0
0
)
1
3
• AVALANCHE ENERGY RATED  
• HERMETICALLY SEALED  
• DYNAMIC dv/dt RATING  
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS  
0
1
.
.
6
1
6
4
(
(
0
0
.
.
0
0
2
4
6
5
)
)
0
0
.
.
7
8
1
6
(
(
0
0
.
.
0
0
2
3
8
4
)
)
4
5
°
TO39 – Package  
Pin 1 – Source  
Pin 2 – Gate  
Pin 3 – Drain  
Also available in a low profile version.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
Gate – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
±20V  
1.5A  
GS  
I
I
I
(V = 10V , T  
= 25°C)  
D
GS  
case  
(V = 10V , T  
= 100°C)  
1A  
D
GS  
case  
1
Pulsed Drain Current  
6.5A  
DM  
P
Power Dissipation @ T = 25°C  
case  
20W  
D
Linear Derating Factor  
0.16W/°C  
0.11mJ  
3.5V/ns  
–55 to 150°C  
6.25°C/W  
175°C/W  
2
E
Single Pulse Avalanche Energy  
AS  
3
dv/dt  
T , T  
Peak Diode Recovery  
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance Junction to Case  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
J
stg  
R
R
JC  
JCA  
Notes  
1) Pulse Test: Pulse Width 300 s,  
2) @ V = 50V , L 0.100mH , R = 25 , Peak I = 1.5A , Starting T = 25°C  
2%  
BV  
DD  
G
L
J
3) @ I  
1.5A , di/dt 50A/ s , V  
, T  
150°C , SUGGESTED R = 7.5  
G
SD  
DD  
DSS  
J
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
4/99  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFF420R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
IRFF421 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
IRFF421R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
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