IRFD220

更新时间： 2024-09-25 22:51:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	92K
描述
0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRFD220 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	HEXDIP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFD220 数据手册

IRFD220

Data Sheet

January 2002

0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel

Power MOSFET

Features

• 0.8A, 200V

This N-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld

effect transistor is an advanced power MOSFET designed,

tested, and guaranteed to withstand a speciﬁed level of

energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of

these power MOSFETs are designed for applications such

as switching regulators, switching convertors, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

• r = 0.800Ω

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA09600.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRFD220

HEXDIP

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

HEXDIP

DRAIN

GATE

SOURCE

IRFD220 Rev. B

12 3 4 5 6 7

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IRFD220 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFD220	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFD220相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD220PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD220PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFD220R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD221	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250AA
IRFD221R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250AA
IRFD222	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250AA
IRFD222R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250AA
IRFD223	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFD223R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD224	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)

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