IRFD220

更新时间： 2024-09-26 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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描述
Power MOSFET

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IRFD220 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	,	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRFD220 数据手册

IRFD220, SiHFD220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.80

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.0

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

7.9

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD220PbF

SiHFD220-E3

IRFD220

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

0.80

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.50

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.4

Linear Derating Factor

0.0083

260

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.2

E_AR

0.10

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 152 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91131

S-81264-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFD220 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFD220PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRFD220	FAIRCHILD	功能相似	0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

与IRFD220相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD220PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD220PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFD220R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD221	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250AA
IRFD221R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250AA
IRFD222	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250AA
IRFD222R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250AA
IRFD223	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFD223R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD224	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)

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