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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 36 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 49 ns | 最大开启时间（吨）： | 27 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF710-005 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF710-012PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF7101 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7101PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF7101TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF7102 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO |
|
| IRF7102PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF7102TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IRF7103 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A) |
|
| IRF7103IPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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