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IRF710

更新时间: 2024-11-18 20:15:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF710 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.05
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):120 mJ
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:3.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:36 W最大功率耗散 (Abs):36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):5 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):49 ns最大开启时间(吨):27 ns
Base Number Matches:1

IRF710 数据手册

  

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