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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1221 | FUJI |
功能相似  |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| IRF630N | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF632-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
7.3A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF632-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF632-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
7.3A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF632-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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