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IRF632R

更新时间: 2024-02-16 06:57:40
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 181K
描述
8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF632R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):75 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IRF632R 数据手册

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