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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF632-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-010PBF | INFINEON |
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7.3A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF632-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF632R | RENESAS |
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8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF633 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
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| IRF633 | RENESAS |
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8A, 150V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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