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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF633-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF633-013PBF | INFINEON |
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7.3A, 150V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF633R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| IRF634 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.45ohm, Id=8.1A) |
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| IRF634 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRF634 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF634 | ISC |
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N-channel mosfet transistor |
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| IRF634 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP |
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| IRF634 | ROCHESTER |
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8.1A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF634 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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