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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF632-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-006PBF | INFINEON |
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7.3A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF632-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-010PBF | INFINEON |
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7.3A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF632-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF632-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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