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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF620STRR
IRF620STRR PDF预览

IRF620STRR

更新时间： 2024-11-12 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1592K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF620STRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.03雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：5.2 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF620STRR 数据手册

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IRF620, SiHF620  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.80  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
14  
3.0  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
7.9  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF620PbF  
SiHF620-E3  
IRF620  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF620  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
200  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
5.2  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
3.3  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
18  
Linear Derating Factor  
0.40  
110  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
5.2  
EAR  
5.0  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
50  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 6.1 mH, RG = 25 Ω, IAS = 5.2 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91027  
S-81361-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF620STRRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF620STRRPBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF620T MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF620U MOTOROLA

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 		5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF621 FAIRCHILD

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IRF621-001 INFINEON

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IRF621-001PBF INFINEON

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 		5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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