Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF620STRRPBF

IRF620STRRPBF

更新时间： 2024-11-12 13:08:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1592K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF620STRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.01	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A
最大漏极电流 (ID)：	5.2 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF620STRRPBF 数据手册

IRF620, SiHF620

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.80

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.0

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

7.9

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF620PbF

SiHF620-E3

IRF620

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF620

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

5.2

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

110

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.2

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91027

S-81361-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRF620STRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF620T	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF620U	MOTOROLA	获取价格	5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF620UA	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF620W	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF621	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
IRF621-001	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF621-001PBF	INFINEON	获取价格	5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF621-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF621-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF621-003PBF	INFINEON	获取价格	5.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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