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IRF540NSTRR

更新时间: 2024-02-12 02:29:56
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 284K
描述
Advanced Process Technology

IRF540NSTRR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:D2PAK
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.25
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):120 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):36 A
最大漏极电流 (ID):36 A最大漏源导通电阻:0.0265 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):92 W最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

IRF540NSTRR 数据手册

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IRF540NS/LPbF  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit  
+
ƒ
-
Circuit Layout Considerations  
Low Stray Inductance  
Ground Plane  
Low Leakage Inductance  
Current Transformer  
DꢀUꢀT*  
+
‚
-
„
-
+

RG  
dv/dt controlled by RG  
ISD controlled by Duty Factor "D"  
DꢀUꢀTꢀ - Device Under Test  
+
-
VDD  
VGS  
* Reverse Polarity of DꢀUꢀT for P-Channel  
Driver Gate Drive  
P.W.  
Period  
Period  
D =  
P.W.  
V
[
=10V  
] ***  
GS  
D.U.T. I Waveform  
SD  
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
Current  
di/dt  
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  
V
DD  
]
[
Re-Applied  
Voltage  
Body Diode  
Forward Drop  
Inductor Curent  
I
[
]
SD  
Ripple 5%  
*** VGS = 5ꢀ0V for Logic Level and 3V Drive Devices  
Fig 14ꢀ For N-channel HEXFET® power MOSFETs  
www.irf.com  
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