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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 185 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF540NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRF540PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF540PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF540R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF540S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| IRF540S | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| IRF540S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF540S, SiHF540S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF540SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF540SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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