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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMD-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF540S, SiHF540S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF540SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF540SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540T | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540U | MOTOROLA |
获取价格 |
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF540U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF540UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540WC | MOTOROLA |
获取价格 |
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF540Z | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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