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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF540PBF
IRF540PBF PDF预览

IRF540PBF

更新时间： 2024-02-25 17:00:29
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1904K
描述
Power MOSFET

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IRF540PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.25
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.0265 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：92 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF540PBF 数据手册

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IRF540, SiHF540  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.077  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
72  
11  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
32  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF540PbF  
SiHF540-E3  
IRF540  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF540  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
28  
20  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
110  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
230  
28  
EAR  
15  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
150  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 440 µH, RG = 25 Ω, IAS = 28 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 28 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91021  
S-81240-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRF540PBF 替代型号

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