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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF540S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| IRF540S | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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| IRF540S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF540S, SiHF540S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF540SPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF540SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF540T | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF540U | MOTOROLA |
获取价格 |
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF540U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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