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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.01 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 641232 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | D2PAK(TO-263AB) | Samacsys Released Date： | 2018-02-06 12:03:16 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0265 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 92 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF540ZSTRLPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| AUIRF540ZSTRL | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| AUIRF540ZS | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF540ZSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRF540ZSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRF541 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
|
| IRF541 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF541 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF541-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF541-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF541-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF541-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
28A, 80V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF541-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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