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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | , |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF542-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-005PBF | INFINEON |
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25A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF542-006 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
25A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF542-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF542-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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