IRF540PBF

更新时间： 2024-02-01 05:20:08

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IRF540PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.0265 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	92 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

PD - 94848

IRF540PbF

• Lead-Free

www.irf.com

11/17/03

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF540R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF540S	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF540S	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
IRF540S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF540S, SiHF540S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF540SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF540SPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF540STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF540T	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF540U	MOTOROLA	获取价格	28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB