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IRF5305STRLPBF

更新时间： 2024-10-30 12:03:31
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英飞凌 - INFINEON /
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12页 366K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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IRF5305STRLPBF 数据手册

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PD - 97034  
IRF4905SPbF  
IRF4905LPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
O
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
150°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
O
O
O
O
O
VDSS = -55V  
RDS(on) = 20mΩ  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Some Parameters Are Differrent from  
IRF4905S  
G
ID = -42A  
S
O
Lead-Free  
D
D
Description  
Features of this design are a 150°C junction oper-  
ating temperature, fast switching speed and im-  
proved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of other  
applications.  
S
S
D
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
IRF4905LPbF  
IRF4905SPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
-70  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
-44  
@ T = 100°C  
C
A
-42  
@ T = 25°C  
C
-280  
DM  
170  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
C
W
W/°C  
V
D
1.3  
Linear Derating Factor  
± 20  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
140  
790  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 150  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
–––  
www.irf.com  
1
8/5/05  
1234567...12

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IRF5305STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF5305STRRPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology
IRF5305SPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRF5305S INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)

与IRF5305STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5305STRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRF5305STRRPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRF530A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRF530A ONSEMI

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 		分立式 MOSFET
IRF530A16A MOTOROLA

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 		14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF530AF MOTOROLA

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IRF530AJ MOTOROLA

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 		14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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IRF530D1 MOTOROLA

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