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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF530ND | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP |
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| IRF530NL | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF530NL-102 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF530NL-102PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF530NLPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF530NPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF530NS | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
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| IRF530NS | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| IRF530NSPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF530NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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