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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF530FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF530FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF530L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
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| IRF530L | MOTOROLA |
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14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF530N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A) |
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| IRF530N | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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| IRF530N | INTERSIL |
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22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF530N | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF530N | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF530ND | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP |
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