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IRF3708STRL

更新时间： 2024-02-27 10:39:17

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	135K
描述
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3708STRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	62 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708STRL 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

0.025

0.017

0.015

0.013

0.011

0.009

0.007

0.020

0.015

VGS = 4.5V

= 31A

0.010

VGS = 10V

0.005

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0 10.0

100

150

200

250

300

Gate -to -Source Voltage (V)

, Drain Current ( A )

GS,

Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current

Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.3µF

V_GS

.2µF

12V

600

D.U.T.

10A

TOP

3mA

Charge

20.7A

BOTTOM 24.8A

480

Current Sampling Resistors

Fig 14a&b. Gate Charge Test Circuit

360

240

120

and Waveform

15V

(B R )D S S

DRIVER

D.U.T

100

125

150

175

20 V

Starting T , Junction Temperature ( C)

0.01

Ω

A S

Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit

Fig 15c. Maximum Avalanche Energy

and Waveforms

Vs. Drain Current

www.irf.com

1...3 4 567 8 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
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