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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 225 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0096 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPS06N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPS06N03LAGBKMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPS06N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPS06N03LBG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPS06N03LZ | INFINEON |
获取价格 |
Ideal for high-frequency dc/dc converters |
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| IPS06N03LZG | INFINEON |
获取价格 |
Ideal for high-frequency dc/dc converters |
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| IPS075N03LG | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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| IPS090N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit |
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| IPS09N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPS09N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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