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IPS06N03LAG PDF预览

IPS06N03LAG

更新时间： 2024-11-12 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 419K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPS06N03LAG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：225 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0096 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPS06N03LAG 数据手册

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IPD06N03LA G  
IPS06N03LA G  
IPF06N03LA G  
IPU06N03LA G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
25  
5.7  
50  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
IPD06N03LA  
IPF06N03LA  
IPS06N03LA  
IPU06N03LA  
Package  
Marking  
P-TO252-3-11  
06N03LA  
P-TO252-3-23  
06N03LA  
P-TO251-3-11  
06N03LA  
P-TO251-3-1  
06N03LA  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
50  
50  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
350  
225  
E AS  
I D=45 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=50 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
83  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.0  
page 1  
2006-05-11  
1234567...12

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与IPS06N03LAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPS06N03LAGBKMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPS06N03LB INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPS06N03LBG INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPS06N03LZ INFINEON

获取价格

 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS06N03LZG INFINEON

获取价格

 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS075N03LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPS090N03LG INFINEON

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 		OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit
IPS09N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS09N03LAG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPS09N03LBG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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