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IPS06N03LB

更新时间： 2024-09-25 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 313K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPS06N03LB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0091 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPS06N03LB 数据手册

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IPU06N03LB  
IPS06N03LB  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
5.8  
50  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO251-3-11  
PG-TO251-3  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
IPU06N03LB  
IPS06N03LB  
PG-TO251-3  
06N03LB  
PG-TO251-3-11 06N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
50  
50  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
200  
210  
E AS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=50 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
94  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 0.2  
page 1  
2006-05-10  
1234567...10

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与IPS06N03LB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPS06N03LBG INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPS06N03LZ INFINEON

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 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS06N03LZG INFINEON

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 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS075N03LG INFINEON

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