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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPS060N03LGHF
IPS060N03LGHF PDF预览

IPS060N03LGHF

更新时间： 2024-02-24 09:41:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 521K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPS060N03LGHF 技术参数

生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPS060N03LGHF 数据手册

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IPD060N03L G  
IPS060N03L G  
IPF060N03L G  
IPU060N03L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
6
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
50  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating  
Type  
IPD060N03L G  
IPF060N03L G  
IPS060N03L G  
IPU060N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3  
060N03L  
PG-TO252-3-23  
060N03L  
PG-TO251-3-11  
060N03L  
PG-TO251-3  
060N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
50  
50  
A
V
GS=4.5 V,  
43  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-02-23  
1234567...12

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与IPS060N03LGHF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPS060N03LGXK INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPS06N03LA INFINEON

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 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS06N03LAG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPS06N03LAGBKMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPS06N03LB INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPS06N03LBG INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPS06N03LZ INFINEON

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 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS06N03LZG INFINEON

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 		Ideal for high-frequency dc/dc converters
IPS075N03LG INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPS090N03LG INFINEON

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 		OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit

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