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IPLK60R360PFD7

更新时间： 2023-09-03 20:33:20
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关二极管
页数 文件大小 规格书
14页 1378K
描述
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R360PFD7) 使  CoolMOS™ 7 的消费应用更加广泛。采用 ThinPAK 5x6封装的 IPLK60R360PFD7 具有 360mOhm RDS(on) ，从而降低开关损耗。这种封装方式占用空间非常小，只有 5x6mm²，高度非常低，仅 1mm。再加上标杆低寄生参数，使得外形显著缩小，并有助于提高功率密度。CoolMOS™ PFD7 产品集成了快速体二极管，可确保器件的坚固性，有利于客户减少材料清单 (BOM)。

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IPLK60R360PFD7 数据手册

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600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice  
IPLK60R360PFD7  
3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics  
atꢀTj=25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics  
Values  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
600  
3.5  
Typ.  
Max.  
-
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V(BR)DSS  
V(GS)th  
-
V
V
VGS=0V,ꢀID=1mA  
4
4.5  
VDS=VGS,ꢀID=0.14mA  
-
-
-
3
1
37  
VDS=600V,ꢀVGS=0V,ꢀTj=25°C  
VDS=600V,ꢀVGS=0V,ꢀTj=125°C  
Zero gate voltage drain current1)  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Gate resistance  
IDSS  
µA  
IGSS  
-
-
1000 nA  
VGS=20V,ꢀVDS=0V  
-
-
0.303 0.360  
0.711  
VGS=10V,ꢀID=2.9A,ꢀTj=25°C  
VGS=10V,ꢀID=2.9A,ꢀTj=150°C  
RDS(on)  
RG  
Ω
Ω
-
-
11.0  
-
f=1MHz,ꢀopenꢀdrain  
Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics  
Values  
Typ.  
534  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
Input capacitance  
Output capacitance  
Ciss  
-
-
-
-
pF  
pF  
VGS=0V,ꢀVDS=400V,ꢀf=250kHz  
VGS=0V,ꢀVDS=400V,ꢀf=250kHz  
Coss  
12  
Effective output capacitance, energy  
related2)  
Co(er)  
Co(tr)  
td(on)  
tr  
-
-
-
-
-
-
20  
-
-
-
-
-
-
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS=0V,ꢀVDS=0...400V  
Effective output capacitance, time  
related3)  
187  
13.5  
11  
ID=constant,ꢀVGS=0V,ꢀVDS=0...400V  
VDD=400V,ꢀVGS=10V,ꢀID=2.9A,  
RG=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9  
Turn-on delay time  
Rise time  
VDD=400V,ꢀVGS=10V,ꢀID=2.9A,  
RG=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9  
VDD=400V,ꢀVGS=10V,ꢀID=2.9A,  
RG=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
46  
VDD=400V,ꢀVGS=10V,ꢀID=2.9A,  
RG=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9  
13  
Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics  
Values  
Typ.  
3.0  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
Gate to source charge  
Gate to drain charge  
Gate charge total  
Qgs  
-
-
-
-
-
-
-
-
nC  
nC  
nC  
V
VDD=400V,ꢀID=2.9A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=400V,ꢀID=2.9A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=400V,ꢀID=2.9A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=400V,ꢀID=2.9A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
Qgd  
4.4  
Qg  
12.7  
5.6  
Gate plateau voltage  
Vplateau  
1) Maximum specification is defined by calculated six sigma upper confidence bound  
2)ꢀCo(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V  
3)ꢀCo(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V  
Final Data Sheet  
5
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22  
12345678...14

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