是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | Factory Lead Time: | 18 weeks |
风险等级: | 5.75 | 雪崩能效等级(Eas): | 142 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-N5 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 16.6 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPL66 | HAMMOND |
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE | |
IPL68 | HAMMOND |
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Plinthe | |
IPL76 | HAMMOND |
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Plinthe | |
IPL78 | HAMMOND |
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Plinthe | |
IPL84 | HAMMOND |
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Plinthe | |
IPL85 | HAMMOND |
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Plinthe | |
IPL86 | HAMMOND |
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE | |
IPL88 | HAMMOND |
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE | |
IPLA 32 | VISHAY |
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High Current Planar Choke Inductor | |
IPLA32L1R0KD | VISHAY |
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High Current Planar Choke Inductor |