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IPL65R650C6SATMA1

更新时间: 2024-11-11 20:56:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1352K
描述
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, THINPAK-5

IPL65R650C6SATMA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code:not_compliantFactory Lead Time:18 weeks
风险等级:5.75雪崩能效等级(Eas):142 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏源导通电阻:0.65 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-N5
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):16.6 A
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPL65R650C6SATMA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC6  
650VꢀCoolMOS™ꢀC6ꢀPowerꢀTransistor  
IPL65R650C6S  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.0  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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