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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 142 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16.6 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPL65R650C6SATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPL66 | HAMMOND |
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
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| IPL68 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| IPL76 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| IPL78 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| IPL84 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| IPL85 | HAMMOND |
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Plinthe |
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| IPL86 | HAMMOND |
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DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
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| IPL88 | HAMMOND |
获取价格 |
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
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| IPLA 32 | VISHAY |
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High Current Planar Choke Inductor |
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