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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 57 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.195 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PSSO-N4 |
| 湿度敏感等级： | 2A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 49 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPL65R1K0C6S | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IPL65R1K0C6SATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IPL65R200CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R200CF |
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| IPL65R210CFD | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPL65R230C7 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠C7 Power Transistor |
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| IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPL65R340CFD | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPL65R650C6S | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPL65R650C6SATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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