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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI80N06S2L05AKSA1 | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI80N06S2L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPI80N06S2L11AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPI80N06S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI80N06S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI80N06S3L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI80N06S3L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPI80N06S3L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPI80N06S3L08AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPI80N06S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPI80N06S4-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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